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MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK STB14N80K5

STB14N80K5效果图
图片仅供参考,商品以实物为准
型号:
STB14N80K5
描述:
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
库存:
9955
货源类别:
现货库存
仓库:
大陆/香港
购买数量:
-
+
单价:¥3.69
合计:¥{{price}}
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产品参数ico产品参数
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)
    12A(Tc)
  • FET功能
    -
  • FET类型
    N 通道
  • Vgs(最大值)
    ±30V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)
    445 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值)
    5V @ 100µA
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)
    620 pF @ 100 V
  • 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)
    22 nC @ 10 V
  • 功率耗散(最大值)
    130W(Tc)
  • 包装
    卷带(TR)
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 技术
    MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
    800 V
  • 系列
    MDmesh™ K5
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)
    10V
  • 封装/外壳
    D²PAK(TO-263)
  • 产地
    美国
  • 仓库
    深圳/香港
  • 品质
    原装正品
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 零件状态
    在售
  • PDFico数据手册
    STB14N80K5(MOSFET)由意法半导体(ST)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存9955,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 STB14N80K5 封装/规格, 可以下载STB14N80K5中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF,资料中有 PCB空板 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
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