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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

安森美(ON)

型号:

FQD6N60CTM

描述:

MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

库存:

69183

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

4A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±30V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

2 欧姆 @ 2A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

810 pF @ 25 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

20 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

80W（Tc）

包装

卷带（TR）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

系列

QFET®

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

10V

封装/外壳

TO-252AA

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

停产

数据手册

FQD6N60CTM下载

FQD6N60CTM（MOSFET）由安森美(ON)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存69183,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 FQD6N60CTM 封装/规格, 可以下载FQD6N60CTM中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。