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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

恩智浦(NXP)

型号:

PHD22NQ20T,118

描述:

MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK

库存:

14679

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

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产品参数

25°C时电流-连续漏极(Id)

21.1A（Tc）

FET功能

FET类型

N 通道

Vgs（最大值）

±20V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）

120 毫欧 @ 12A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）

1380 pF @ 25 V

不同Vgs时栅极电荷 (Qg)（最大值）

30.8 nC @ 10 V

功率耗散（最大值）

150W（Tc）

包装

卷带（TR）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200 V

系列

TrenchMOS™

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）

10V

封装/外壳

DPAK

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

停产

数据手册

PHD22NQ20T,118下载

PHD22NQ20T,118（MOSFET）由恩智浦(NXP)设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存14679,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 PHD22NQ20T,118 封装/规格, 可以下载PHD22NQ20T,118中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。