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包装:
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卷带(TR)
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存储器类型:
易失
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512MB
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512Mb
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1.7V ~ 1.9V
1.55V ~ 1.9V
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工作温度:
-25°C ~ 85°C(TC)
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时钟频率:
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DRAM
卷带(TR)
256Mb(32M x 8)
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600 ps
易失
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符合商品条件:共
26
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MT47H32M8BP-5E:B TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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镁光(micron)
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11276
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大陆/香港
描述:
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大陆/香港
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大陆/香港
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MT47H32M16CC-5E L:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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大陆/香港
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大陆/香港
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MT47H32M16CC-5E IT:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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大陆/香港
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MT47H32M16CC-37E L:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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MT47H32M16CC-37E IT:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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大陆/香港
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MT47H32M8BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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大陆/香港
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MT47H256M4SH-25E:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
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大陆/香港
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价格
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MT47H64M16NF-25E AAT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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大陆/香港
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MT47H32M16NF-25E AAT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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MT47H64M16NF-25E XIT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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镁光(micron)
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15674
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大陆/香港
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IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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MT47H64M16NF-25E AIT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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镁光(micron)
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18157
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大陆/香港
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IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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MT47H32M16NF-25E AIT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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镁光(micron)
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15601
仓库:
大陆/香港
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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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