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    - DRAM
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    表面贴装型 -
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    包装:
    卷带（TR）,剪切带（CT） 卷带（TR） 托盘 管件 散装
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    存储容量:
    256Mb（8M x 32） 128Mb（4M x 32） 32Mb（1M x 32） 8Gb（256M x 32） 4Gb（128M x 32） 1Gb（32M x 32） 2Gb（64M x 32） 512Mb（16M x 32） 64Mb（2M x 32） 128Mb（8M x 16） 64Mb（4M x 16） 32Mb（2M x 16） 2Gb（128M x 16） 1Gb（64M x 16） 512Mb（32M x 16） 256Mb（16M x 16） 4Gb（256M x 16）
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    1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V 1.14V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.95V 1.14V ~ 1.3V，1.7V ~ 1.95V
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    工作温度:
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    时钟频率:
    208 MHz 104 MHz 1.6 GHz 133 MHz 533 MHz 400 MHz 333 MHz 200 MHz 167 MHz 166 MHz
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    封装/外壳:
    FBGA60 60-VFBGA 90-VFBGA 200-WFBGA QFN 200-TFBGA 90-LFBGA BGA 90-TFBGA FBGA 168-TFBGA 152-VFBGA 240-WFBGA 168-WFBGA 134-TFBGA 168-VFBGA 60-TFBGA
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