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芯成半导体
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存储器格式:
-
DRAM
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安装类型:
表面贴装型
-
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包装:
卷带(TR),剪切带(CT)
卷带(TR)
托盘
管件
散装
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存储容量:
256Mb(8M x 32)
128Mb(4M x 32)
32Mb(1M x 32)
8Gb(256M x 32)
4Gb(128M x 32)
1Gb(32M x 32)
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4Gb(256M x 16)
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电压-供电:
1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
1.14V ~ 1.95V
1.7V ~ 1.9V
-
1.7V ~ 1.95V
1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
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工作温度:
-40°C ~ 85°C(TC)
-40°C ~ 85°C(TA)
-40°C ~ 95°C(TC)
-40°C ~ 105°C(TA)
0°C ~ 70°C(TA)
-25°C ~ 85°C(TA)
0°C ~ 85°C(TC)
-40°C ~ 105°C(TC)
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时钟频率:
208 MHz
104 MHz
1.6 GHz
133 MHz
533 MHz
400 MHz
333 MHz
200 MHz
167 MHz
166 MHz
更多
封装/外壳:
FBGA60
60-VFBGA
90-VFBGA
200-WFBGA
QFN
200-TFBGA
90-LFBGA
BGA
90-TFBGA
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152-VFBGA
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168-WFBGA
134-TFBGA
168-VFBGA
60-TFBGA
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60-TFBGA
芯成半导体
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IS43LR16800F-6BL-TR
品牌:
芯成半导体
型号:
IS43LR16800F-6BL-TR
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13875
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大陆/香港
描述:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
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芯成半导体
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大陆/香港
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IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
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芯成半导体
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IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
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芯成半导体
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1383
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大陆/香港
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IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
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芯成半导体
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IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
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芯成半导体
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大陆/香港
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IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
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IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
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大陆/香港
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IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
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芯成半导体
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9782
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大陆/香港
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芯成半导体
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1304
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大陆/香港
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大陆/香港
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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
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芯成半导体
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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
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IS46LR16320C-6BLA1-TR
品牌:
芯成半导体
型号:
IS46LR16320C-6BLA1-TR
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6453
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大陆/香港
描述:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
价格
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IS43LR16640A-5BLI
品牌:
芯成半导体
型号:
IS43LR16640A-5BLI
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17906
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IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
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