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图片仅供参考，商品以实物为准

品牌:

芯成半导体

型号:

IS43R83200B-5TL-TR

描述:

IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II

库存:

22160

货源类别:

现货库存

仓库:

大陆/香港

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产品参数

写周期时间-字，页

15ns

包装

卷带（TR）

存储器接口

并联

存储器格式

DRAM

存储器类型

易失

存储容量

256Mb（32M x 8）

工作温度

0°C ~ 70°C（TA）

时钟频率

200 MHz

电压-供电

2.3V ~ 2.7V

系列

访问时间

700 ps

封装/外壳

66-TSSOP (szerokość 0，400，10，16mm)

产地

美国

仓库

深圳/香港

品质

原装正品

安装类型

表面贴装型

零件状态

停产

数据手册

IS43R83200B-5TL-TR下载

IS43R83200B-5TL-TR（DDR）由芯成半导体设计生产, IC全球购电子元器件购买网站提供足量库存22160,价格参考“实时变动” 香港/深圳仓库。 IS43R83200B-5TL-TR 封装/规格, 可以下载IS43R83200B-5TL-TR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书PDF，资料中有 PCB空板详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。