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Toshiba
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stop production
MOSFET(Metal oxide)
N channels
±20V
-
±12V
±8V
Schottky diode (isolated)
1.6W(Ta)
1.7W(Ta)
2W(Ta)
900mW(Ta)
600mW(Ta)
1.5W(Ta)
1.4W(Ta)
500mW(Ta)
700mW(Ta)
1.4W(Tj)
770mW(Ta)
710mW(Ta)
910mW(Tj)