据日媒报道,铠侠北上工厂兴建的第二座NAND厂房(K2厂),目前预定完工日期是2024年。
据CFM闪存市场此前报道,铠侠北上K2工厂位于第1厂房(K1)的东侧,厂房面积为3.1万平方公尺,于2022年4月动工,原计划是2023年完工并稼动,投产后,整体北上工厂产能将扩增至现有产能的近2倍。现在则曝出将完工与稼动时间延后,以因应存储市况不佳的现况。
铠侠表示,目前北上工厂K2厂尚未决定完工与稼动的时间,之后将根据市况决定启用新厂的时间。
铠侠2022年宣布兴建K2工厂的初衷,是由于来自智能手机、数据中心的需求非常大,NAND Flash总需求(以储存容量换算)预估将以每年30%左右的速度呈现增长,公司将扩增产能以应对需求。但随着市况反转,同年10月,铠侠宣布四日市和北上NAND工厂减产30%。
报道称,日本经产省大臣西村康稔7月29日曾前往铠侠的岩手县北上工厂视察。铠侠从2021年度(2021/4~2022/3)起,已获得日本政府交付的100亿日圆(0.72亿美元)补贴,用于岩手县北上工厂增设设备。
为应对需求疲软窘境,三星于今年一季度宣布加入减产阵列,对于下半年生产计划,三星表示,将继续维持下调的产能,另外,为了进一步加速库存正常化,三星目前正选择性的对某些DRAM和NAND产品进行额外的生产调整,尤其计划对NAND侧进行较大的调整。
SK海力士则表示,Q2库存出现环比下降,但由于NAND库存去化速度与DRAM相较缓慢,SK海力士决定进一步扩大NAND减产规模。
美光在6月底的财报中表示,将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至接近30%,预计减产将持续到2024年。
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